RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Comparez
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Note globale
Kingston KVR533D2N4 512MB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KVR533D2N4 512MB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
50
75
Autour de -50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.5
1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.3
1,672.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
4200
Autour de 5.07 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KVR533D2N4 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
75
50
Vitesse de lecture, GB/s
1,943.5
12.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,672.1
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
21300
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
301
2326
Kingston KVR533D2N4 512MB Comparaison des RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link