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Kingston KVR533D2N4 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
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Kingston KVR533D2N4 512MB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Pontuação geral
Kingston KVR533D2N4 512MB
Pontuação geral
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Razões a considerar
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
50
75
Por volta de -50% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.5
1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.3
1,672.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
4200
Por volta de 5.07 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KVR533D2N4 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
75
50
Velocidade de leitura, GB/s
1,943.5
12.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,672.1
7.3
Largura de banda de memória, mbps
4200
21300
Other
Descrição
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
301
2326
Kingston KVR533D2N4 512MB Comparações de RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
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