RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Compara
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Puntuación global
Kingston KVR533D2N4 512MB
Puntuación global
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KVR533D2N4 512MB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
50
75
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.5
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.3
1,672.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
4200
En 5.07 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KVR533D2N4 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
75
50
Velocidad de lectura, GB/s
1,943.5
12.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,672.1
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
21300
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
301
2326
Kingston KVR533D2N4 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link