Comparaison de la RAM Kingston KVR533D2N4 512MB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Kingston KVR533D2N4 512MB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Note globale

Kingston KVR533D2N4 512MB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Kingston KVR533D2N4 512MB

Raisons de considérer
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

37 75

Autour de -103% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

16 1

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

12.6 1,672.1

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

19200 4200

Autour de 4.57 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Kingston KVR533D2N4 512MB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge

4-4-4-12 / 533 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

301 2808

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns