Porównanie pamięci RAM Kingston KVR533D2N4 512MB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Kingston KVR533D2N4 512MB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Wynik ogólny

Kingston KVR533D2N4 512MB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB

Powody do rozważenia
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

37 75

Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

16 1

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

12.6 1,672.1

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

19200 4200

Wokół strony 4.57 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Kingston KVR533D2N4 512MB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara

4-4-4-12 / 533 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

301 2808

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns