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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Comparez
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Note globale
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Note globale
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Différences
Spécifications
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Raisons de considérer
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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Raisons de considérer
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
65
Autour de -117% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
6.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
4.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
8500
Autour de 2.75 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
30
Vitesse de lecture, GB/s
6.1
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
4.2
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
23400
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
985
2709
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB Comparaison des RAM
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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