Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

総合得点

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

総合得点

Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

相違点仕様コメント

相違点

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

考慮すべき理由
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

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Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

考慮すべき理由
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

30 65

周辺 -117% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

16 6.1

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

12.3 4.2

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

23400 8500

周辺 2.75 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

65 30
読み出し速度、GB/s

6.1 16.0
書き込み速度、GB/秒

4.2 12.3
メモリ帯域幅、mbps

8500 23400

Other

商品説明

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1066 MHz 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

985 2709

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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