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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Puntuación global
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Puntuación global
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
65
En -117% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
6.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
4.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
8500
En 2.75 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
30
Velocidad de lectura, GB/s
6.1
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
4.2
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
23400
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
985
2709
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
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