RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Comparez
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB vs Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Note globale
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
99
Autour de 60% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.4
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
6.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
99
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
6.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2455
1499
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link