RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Comparez
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Note globale
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
10.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
59
Autour de -69% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
1,855.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
35
Vitesse de lecture, GB/s
4,168.0
10.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,855.7
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
680
1998
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Comparaison des RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 99P5429-006.A00Ls 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Kingston 99U5458-005.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link