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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB

Puntuación global
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

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Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Razones a tener en cuenta
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    4 left arrow 10.5
    Valor medio en las pruebas
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Informar de un error
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    35 left arrow 59
    En -69% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.1 left arrow 1,855.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 5300
    En 3.21 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    59 left arrow 35
  • Velocidad de lectura, GB/s
    4,168.0 left arrow 10.5
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,855.7 left arrow 8.1
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    680 left arrow 1998

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Comparaciones de la memoria RAM

Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
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Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB Comparaciones de la memoria RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
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Memoria RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
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Memoria RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Kingston 9905622-057.A00G 4GB
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Memoria RAM
Kingston KP223C-ELD 2GB
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Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
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Memoria RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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