RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Comparez
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Note globale
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Note globale
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
75
Autour de 56% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
6.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
75
Vitesse de lecture, GB/s
17.8
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
6.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3285
1548
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link