RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
75
Wokół strony 56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
6.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
75
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
1548
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link