RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
75
Около 56% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
75
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
14.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
1548
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link