RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Comparez
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Note globale
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Note globale
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
17
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
33
Autour de -50% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
22
Vitesse de lecture, GB/s
17.8
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
8.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3285
2623
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link