RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Comparar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
17
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
33
Por volta de -50% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
22
Velocidade de leitura, GB/s
17.8
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
8.9
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3285
2623
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link