RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Comparez
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Note globale
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Note globale
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
12
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
9.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
33
Autour de -18% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
28
Vitesse de lecture, GB/s
17.8
12.0
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3285
2347
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB Comparaison des RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link