RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.8
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
33
Около -18% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
28
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
12.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
2347
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link