RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
33
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
28
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
12.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
2347
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link