RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Comparez
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB vs Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Note globale
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Note globale
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
43
Autour de -16% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.9
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
37
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
17.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2422
2898
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB Comparaison des RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB Comparaison des RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link