RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Comparez
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Note globale
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Note globale
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
40
Autour de -60% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.4
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
25
Vitesse de lecture, GB/s
13.6
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.3
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2035
1870
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Kingston 9905474-052.A00LF 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link