RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB против Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
40
Около -60% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.4
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
25
Скорость чтения, Гб/сек
13.6
15.4
Скорость записи, Гб/сек
8.3
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2035
1870
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link