RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
40
Wokół strony -60% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
25
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2035
1870
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link