RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Comparez
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Note globale
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
40
Autour de -38% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
29
Vitesse de lecture, GB/s
14.2
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2142
3488
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link