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Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
Comparez
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB vs Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
Note globale
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB
Note globale
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
42
Autour de 5% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.2
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
12800
10600
Autour de 1.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
40
42
Vitesse de lecture, GB/s
14.2
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
12800
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2142
2187
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB Comparaison des RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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