RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB против Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB
Средняя оценка
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
42
Около 5% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.2
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.4
8.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
12800
10600
Около 1.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
40
42
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
13.8
Скорость записи, Гб/сек
8.4
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
12800
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2142
2187
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB Сравнения RAM
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BL51264BA160A.16FH 4GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link