Porównanie pamięci RAM Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB vs Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB

Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB vs Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB

Wynik ogólny

Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

40 42

Wokół strony 5% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

14.2 13.8

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

8.4 8.1

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB

Wyższa przepustowość pamięci, mbps

12800 10600

Wokół strony 1.21 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB

Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1333 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2142 2187

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns