RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
50
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
50
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2142
1976
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link