Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB

Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB vs Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB

Gesamtnote
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Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB

Gesamtnote
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Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB

Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    40 left arrow 42
    Rund um 5% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    14.2 left arrow 13.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.4 left arrow 8.1
    Durchschnittswert bei den Tests
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
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  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 10600
    Rund um 1.21 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    40 left arrow 42
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    14.2 left arrow 13.8
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.4 left arrow 8.1
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2142 left arrow 2187
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RAM 1
RAM 2

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