RAM-Vergleich Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB vs Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB

Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB vs Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB

Gesamtnote

Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

40 42

Rund um 5% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

14.2 13.8

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

8.4 8.1

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB

Höhere Speicherbandbreite, mbps

12800 10600

Rund um 1.21 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB

Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1333 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2142 2187

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns