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Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB vs Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB
Gesamtnote
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
42
Rund um 5% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
12800
10600
Rund um 1.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
40
42
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
13.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
8.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
12800
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2142
2187
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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