Comparación de la memoria RAM Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB vs Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB

Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB vs Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB

Puntuación global

Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

40 42

En 5% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

14.2 13.8

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

8.4 8.1

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB

Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

12800 10600

En 1.21 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB

Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1333 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2142 2187

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns