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Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
Confronto
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB vs Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
40
42
Intorno 5% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.2
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
8.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
12800
10600
Intorno 1.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
40
42
Velocità di lettura, GB/s
14.2
13.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
12800
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2142
2187
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB Confronto tra le RAM
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BL51264BA160A.16FH 4GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kllisre D4 8G 8GB
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