RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Comparez
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Note globale
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Note globale
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
32
Autour de 13% latence réduite
Raisons de considérer
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.6
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.8
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
32
Vitesse de lecture, GB/s
12.9
18.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
15.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2112
3851
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP512U64EP8-S5 1GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F3-17600CL9-2GBXMD 2GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link