RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Comparar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Pontuação geral
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
32
Por volta de 13% menor latência
Razões a considerar
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.6
12.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.8
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
32
Velocidade de leitura, GB/s
12.9
18.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
15.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2112
3851
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
A-DATA Technology EXTREME DDR2 1066+ 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link