RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
32
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.6
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
18.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
3851
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology EXTREME DDR2 1066+ 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link