RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Comparez
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Note globale
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Note globale
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
26
Autour de 4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.4
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.3
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
14900
Autour de 1.29 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
26
Vitesse de lecture, GB/s
15.4
13.7
Vitesse d'écriture, GB/s
11.3
10.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
14900
19200
Other
Description
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Timings / Vitesse d'horloge
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2696
2594
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-RD 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link