RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Сравнить
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB против Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
26
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.4
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.3
10.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
14900
Около 1.29 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
26
Скорость чтения, Гб/сек
15.4
13.7
Скорость записи, Гб/сек
11.3
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
14900
19200
Other
Описание
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Тайминги / частота
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2696
2594
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-RD 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link