RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Сравнить
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB против Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
26
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.4
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.3
10.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
14900
Около 1.29 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
26
Скорость чтения, Гб/сек
15.4
13.7
Скорость записи, Гб/сек
11.3
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
14900
19200
Other
Описание
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Тайминги / частота
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2696
2594
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-RD 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Corsair CMSO4GX3M1A1600C11 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link