RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
51
Autour de -65% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21.4
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.2
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
31
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
21.4
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
16.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
3809
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link