RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
51
Por volta de -65% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
21.4
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.2
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
31
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
21.4
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
16.2
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
3809
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link