RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
51
Около -65% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.4
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
31
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
21.4
Скорость записи, Гб/сек
11.8
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3809
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMX4GX3M2B1600C9 2GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link