RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
51
Autour de -89% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.3
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
27
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
16.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
3784
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 1G-SODIMM 1GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link