RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
51
Autour de -122% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
23
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
3036
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link