RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
51
Около -122% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
23
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
17.3
Скорость записи, Гб/сек
11.8
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3036
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link