RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
51
Autour de -70% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.1
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
30
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
15.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
3728
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link