RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
51
83
Autour de 39% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
83
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
7.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
1752
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link