Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

総合得点

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

総合得点

Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

51 83

周辺 39% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

15.6 14.3

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

11.8 7.8

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

25600 17000

周辺 1.51% 高帯域

Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

考慮すべき理由
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

バグを報告する

仕様

技術仕様の完全リスト

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR4 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

51 83
読み出し速度、GB/s

15.6 14.3
書き込み速度、GB/秒

11.8 7.8
メモリ帯域幅、mbps

25600 17000

Other

商品説明

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
タイミング / クロック速度

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2687 1752

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

AMD R948G3206U2S 8GB

AMD R948G3206U2S 8GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Kingston KYXC0V-MIH 16GB

Kingston KYXC0V-MIH 16GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

Kingston 99U5663-006.A00G 16GB

Kingston 99U5663-006.A00G 16GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB

Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB

Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB

Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB

Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB

Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB