RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
51
72
Autour de 29% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
72
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
8.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
1593
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link