RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
72
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
72
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
1593
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link