RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
72
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
72
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
15.3
Скорость записи, Гб/сек
11.8
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
1593
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link