RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
72
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
72
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
15.3
Скорость записи, Гб/сек
11.8
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
1593
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link