RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
51
55
Autour de 7% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
55
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
9.4
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
2230
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link