RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
51
Autour de -155% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.5
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.8
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
20
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
19.5
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
15.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
3483
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link